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参数目录41881
> BUK9Y53-100B,115 MOSFET N-CH TRENCH 100V LFPAK
型号:
BUK9Y53-100B,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH TRENCH 100V LFPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BUK9Y53-100B,115 PDF
标准包装
1
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
23A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
49 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
18nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2130pF @ 25V
功率 - 最大
75W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商设备封装
LFPAK,Power-SO8
包装
标准包装
其它名称
568-6238-6
查看BUK9Y53-100B,115代理商
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